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采用先进的进气控制技术，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和压力，炉膛内沉积压力稳定，压力波动小；
多通道工艺气路，配合旋转料台，无沉积死角；
温度场与气流场耦合采用仿真辅助设计，温度场与气流场的均匀性好；
多级尾气处理系统，能高效处理腐蚀性尾气、固体副产物，环境友好；
炉壳采用耐腐蚀不锈钢材质，热场材料采用低灰分材质，严格把控进气管路材质（选用EP级材质）；
适于工艺气氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。
| 参数\型号 | HCVD-101015-SiC | HCVD-121220-SiC | VCVD-0608-SiC | VCVD-0812-SiC | VCVD-1015-SiC | VCVD-1218-SiC | VCVD-1520-SiC | VCVD-1530-SiC |
| 工作区尺寸 W×H×L（mm） | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 600×800 | 800×1200 | 1000×1500 | 1200×1800 | 1500×2000 | 1500×3000 |
| 最高温度（℃） | 1500 | |||||||
| 温度均匀性（℃） | ±10/±15 | ±15/±20 | ±5/±7.5 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 | ±15/±20 |
| 极限真空度（Pa） | 1-100 | |||||||
| 压升率（Pa/h） | 0.67 | |||||||
| 加热方式 | 电阻 | |||||||
以上参数可根据工艺要求进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。
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