彩票走势图

  |  

400-677-0098

顶立科技参加第三代半导体SiC单晶生长技术交流会

发布时间:2024-04-25发布人:浏览:
分享到:

顶立科技参加第三代半导体SiC单晶生长技术交流会 (2).jpg

顶立科技参加第三代半导体SiC单晶生长技术交流会 (1).jpg

4月25日,由中国粉体网主办的“第三届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会暨第三代半导体SiC晶体生长技术交流会“在苏州隆重召开。顶立科技受邀参会。

顶立科技凭借材料工艺与热工装备高度锲合的技术优势,攻克了第三代半导体碳化硅、氨化镓“单晶生长用原材料和热场材料的关键制备技术,研制的高纯碳粉、高纯石墨、高纯碳纤维保温材料和碳化硅/碳化钽涂层石墨构件等,性能指标达国际领先水平,主要应用于航空航天、新能源、电子电器、光伏等领域。

碳化钽涂层构件.jpg


上一条:第五届复合材料•潇湘论坛圆满举行
下一条:省政协副主席何寄华一行莅临顶立科技调研

广告法声明

新广告法规定所有页面不得出现绝对性用词与功能性用词。我司严格执行新广告法,已开展全面排查修改,若有修改遗漏,请联系反馈,我司将于第一时间修改,我司不接受以任何形式的极限用词为由提出的索赔、投诉等要求。所有访问本公司网页的人员均视为同意接受本声明。
  • 电话:18874256050
  • 邮箱:sales5@sinoacme.cn